碳化硅(SiC)由于具有良好的耐磨性、高溫力學(xué)性、抗氧化性等特性，在半導(dǎo)體、核能、國(guó)防及空間技術(shù)等高科技領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

　　隨著社會(huì)的發(fā)展和科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步，電子設(shè)備和儀器越來(lái)越趨向精密化、小型化和高性能化，對(duì)導(dǎo)熱散熱提出了新的要求。

　　電子器件在工作時(shí)，不可避免地會(huì)產(chǎn)生熱量，電子器件的工作效率會(huì)因其工作溫度的升高而下降，如不及時(shí)解決其散熱問(wèn)題，將導(dǎo)致電子器件無(wú)法工作，甚至損壞。

　　碳化硅具有的較高的導(dǎo)熱系數(shù)，碳化硅不僅具有高導(dǎo)熱性，還具有不錯(cuò)的熱穩(wěn)定性等。利用碳化硅的導(dǎo)熱性能，它可以應(yīng)用在半導(dǎo)體器件的基底材料、高導(dǎo)熱陶瓷材料、半導(dǎo)體加工的加熱器和加熱板、核燃料以及壓縮機(jī)泵中。